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　　關(guān)于電熔鋯剛玉磚使用時(shí)產(chǎn)生氣泡的研究，幾乎有一致結(jié)論：電熔鋯剛玉磚內(nèi)產(chǎn)生氣體是玻璃相滲析的推動(dòng)力，而玻璃相滲出又在界面產(chǎn)生氣泡。

　　產(chǎn)生氣泡的原因一般認(rèn)為有兩個(gè)，一是在電熔鋯剛玉磚中含有碳、碳化物、硫和硫化物等雜質(zhì)，在使用過(guò)程中由于氧擴(kuò)散到電熔鋯剛玉磚中與這些雜質(zhì)反應(yīng)，放出CO2，SO2，N2等，并證實(shí)在有氧的條件下這種過(guò)程才能產(chǎn)生。給出的雜質(zhì)反應(yīng)溫度是：硫化物與氧反應(yīng)溫度為200℃碳化物與氧反應(yīng)的溫度從400℃開(kāi)始，氮化物反應(yīng)溫度,800℃以上。產(chǎn)生氣泡的另一個(gè)原因是由于溶池中玻璃液與電熔鋯剛玉磚間的電池反應(yīng)。

　　電池電動(dòng)勢(shì)是由玻璃液與電熔鋯剛玉磚之間堿含量不同而引起的，含堿量比較高的Na+向電熔鋯剛玉磚擴(kuò)散,與電熔鋯剛玉磚中Na+趨于平衡，使玻璃液與電熔鋯剛玉磚界面處形成氧過(guò)量的不平衡狀態(tài),不平衡狀態(tài)下的氧形成氣泡，一旦達(dá)到平衡則氣泡產(chǎn)生即停止。

　　上述研究結(jié)果說(shuō)明，雜質(zhì)與氧反應(yīng)產(chǎn)生氣泡是玻璃相滲析的推動(dòng)力。那么減少組成中雜質(zhì)含量將是解決問(wèn)題的最根本方法。值得注意的是原料中不可能沒(méi)有一點(diǎn)雜質(zhì)，尤其對(duì)33#電熔鋯剛玉磚而言，那么對(duì)這種情況就應(yīng)注重研究如何減緩乃至避免這類氣泡產(chǎn)生，實(shí)測(cè)玻璃相滲析溫度最低為1030℃，最高為1470℃，而雜質(zhì)氧化反應(yīng)溫度最低為200℃，最高也只有800℃，可見(jiàn)氧化反應(yīng)在前，玻璃相滲析在后。因而氧向電熔鋯剛玉磚中的擴(kuò)散就成為這類氣泡產(chǎn)生的決定因素。

　　氧向電熔鋯剛玉磚中擴(kuò)散通道可以是電熔鋯剛玉磚的裂紋、氣孔(尤其是連通氣孔，也可以是電熔鋯剛玉磚中的玻璃相，顯見(jiàn)前者的擴(kuò)散速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于后者。由于電池反應(yīng)在電熔鋯剛玉磚中和玻璃液界面產(chǎn)生的氣泡，不可能是玻璃相滲析的推動(dòng)力，它是玻璃液對(duì)電熔鋯剛玉磚侵蝕的結(jié)果。氣泡量的多少和產(chǎn)生速度，取決于Na+的不平衡程度和Na+的擴(kuò)散速度。Na+的濃度差會(huì)逐漸減小，所以這類氣泡產(chǎn)生的關(guān)鍵是Na+的擴(kuò)散速度，而Na+的擴(kuò)散速度又取決于擴(kuò)散通道和阻力大小。

　　由上述分析可知，兩種氣泡產(chǎn)生的實(shí)質(zhì)是氧和的Na+擴(kuò)散，一切提高氧、擴(kuò)散阻力的措施都是有效的。措施之一是提高電熔鋯剛玉磚表層的致密性，以增大氧的擴(kuò)散阻力，之所以有優(yōu)良性能其表層的特殊結(jié)構(gòu)也是重要原因；措施之二是研究和改進(jìn)玻璃相在電熔鋯剛玉磚中的分布與晶相間的賦存狀態(tài)，使玻璃相在表層分布盡量少，且能均勻分布于晶間而不連通，這種分布無(wú)論對(duì)氧或的擴(kuò)散都將增大阻力；三是提高玻璃相粘度因?yàn)閿U(kuò)散速度是粘度的函數(shù)這將增大Na+的擴(kuò)散阻力。